类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）@25°C：120A
　　最大连续漏极电流（Id）@100°C：75A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：约 3.7mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：约 5.5mΩ
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热

AP30G120SW 具备多项高性能特性，使其在功率电子应用中表现优异。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体系统的效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为约 3.7mΩ，而在 4.5V 栅极驱动下，Rds(on) 也保持在较低的 5.5mΩ，这使得该器件适用于 5V 微控制器驱动的应用场景。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流（在 25°C 下），在高温条件下（100°C）仍能维持 75A 的电流能力，适用于高电流负载的应用，如电动工具、服务器电源和大功率 LED 驱动器。
　　此外，AP30G120SW 采用 PowerPAK SO-8 封装，具备双面散热能力，显著提升了热性能。这种封装设计有助于在高功率密度应用中实现更高效的散热管理，延长器件和系统的使用寿命。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（支持 4.5V 至 20V），使其适用于多种驱动电路配置，包括采用 PWM 控制的开关电源系统。同时，其高 Vds 额定电压（30V）为系统设计提供了足够的电压裕量，增强了器件在瞬态电压条件下的可靠性。
　　最后，AP30G120SW 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于极端环境下的稳定运行，例如工业自动化设备、汽车电子和户外通信设备等应用场景。

AP30G120SW 广泛应用于需要高效率、高电流处理能力的电子系统中。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器，其低 Rds(on) 和高电流能力有助于提高转换效率并降低发热。
　　在负载开关应用中，该器件可用于控制高功率负载（如风扇、马达和 LED 阵列）的通断，其快速开关特性和低导通损耗使其成为理想选择。
　　此外，该 MOSFET 在马达控制电路中可用作 H 桥的上下桥臂开关，支持双向电流控制，适用于电动工具、机器人和自动化设备。
　　在服务器电源和电信设备中，AP30G120SW 可用于多相供电系统，以提供稳定的高电流输出，满足高性能处理器和 ASIC 的供电需求。
　　汽车电子领域中，该器件可应用于车载充电系统、电池管理系统和电动助力转向系统，其宽工作温度范围和高可靠性确保了在恶劣环境下的稳定运行。

SiSS128, NexFET CSD17551Q5A, IPB013N03LG, AO4406