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IRF542 发布时间 时间:2025/7/12 1:19:47 查看 阅读:11

IRF542是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适合中高功率应用。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻:0.18Ω
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRF542采用了先进的MOSFET技术,具备以下特点:
  1. 低导通电阻设计,能够减少功率损耗并提高效率。
  2. 较高的漏极电流容量,支持大电流负载。
  3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  4. 高耐压值(100V),适用于多种电压等级的电路。
  5. TO-220标准封装,便于安装和散热管理。
  6. 广泛的工作温度范围,确保在极端环境下可靠运行。

应用

IRF542通常用于以下领域:
  1. 开关电源中的功率开关。
  2. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
  3. DC-DC转换器中的主功率开关元件。
  4. 音频功率放大器中的输出级驱动。
  5. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
  6. 逆变器和其他需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP19NF06
  FDP19N06L
  IXFN19N06P

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