时间：2025/6/30 11:41:42
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FN18N2R0C500PSG是一款高性能的功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等场景。其封装形式通常为表面贴装型，便于自动化生产和散热管理。
该型号中的关键参数包括耐压值、导通电阻和电流承载能力，这些特性使得它在中高功率应用场景中表现出色。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：2mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：开启时间15ns，关断时间30ns
工作结温范围：-55℃至175℃
FN18N2R0C500PSG具有以下显著特点：
1. 超低导通电阻，有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 高耐压能力，确保在恶劣环境下稳定运行。
4. 内置保护功能，如过流保护和热关断，提升器件可靠性。
5. 封装优化设计，具备良好的散热性能，适应高功率密度需求。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
该器件广泛应用于多种电力电子领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器，特别是在升压、降压或升降压拓扑结构中。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机（BLDC）或其他类型电机。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备和消费类电子产品中的负载切换控制。
IRFP460, FDP18N50C, IXFN18N50P
