时间：2025/5/22 21:47:51
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GA0402Y221KXBAC31G 是一种基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频、高效能应用设计。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻特性。其封装形式通常适合表面贴装工艺，并具有高可靠性及良好的散热性能。
该型号主要应用于电源管理领域，例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及无线充电模块等场景。
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：170mΩ
连续漏极电流（Id）：4A
输入电容（Ciss）：880pF
输出电容（Coss）：16pF
反向恢复时间（trr）：<30ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
GA0402Y221KXBAC31G 的主要特点包括：
1. 高效的开关性能，支持高频操作，从而减小无源元件尺寸并提高功率密度。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗。
3. 快速的开关速度，减少了死区时间和开关损耗。
4. 内置保护功能，如过温保护和短路保护，提升了系统的安全性。
5. 兼容标准逻辑电平驱动，简化了控制电路设计。
6. 高可靠性和长寿命，适用于工业级和消费级应用。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子系统中。
该芯片广泛用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的主功率级。
2. 高效 DC-DC 转换器设计，尤其是隔离式转换器。
3. 功率因数校正（PFC）电路以提升效率和稳定性。
4. 电动汽车充电桩的功率模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 太阳能逆变器以及其他需要高频工作的能量转换设备。
7. 无线充电发射端与接收端的功率传输部分。
GAN042-650WSA, TPH3206PS
