时间：2025/7/1 14:10:48
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FN18N1R8B500PSG是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，适合在高频功率转换电路中使用。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和散热管理。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，其设计重点在于优化功率损耗和提高效率，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率控制的领域。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
栅极电荷：75nC
导通电阻：1.8Ω
最大功耗：240W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FN18N1R8B500PSG采用了先进的制造工艺，使其具备以下特点：
1. 高耐压能力：能够承受高达500V的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅1.8Ω的导通电阻显著降低了功率损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得开关速度更快，从而减少了开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在极端温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境。
5. 封装优势：TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度应用。
此款MOSFET适用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动：用于直流无刷电机或其他类型的电机控制器。
3. 太阳能逆变器：实现高效的直流到交流转换。
4. 不间断电源（UPS）：提供可靠的功率支持。
5. 工业控制：如焊接机、感应加热设备等需要高功率输出的应用。
IRFP460,
FDP18N50,
STP18NF50,
IXFH18N50P
