时间：2024/9/12 13:38:16
阅读：178
STV160NF02LA代表第二代应用特定STMicroelectronicswell建立的STripFET?工艺基于非常独特的条带布局设计。结果MOSFET显示出无与伦比的高封装密度、超低导通电阻和优越的开关特性。工艺简化也转化为改进的制造再现性。该装置特别适用于效率至关重要的大电流、低压开关应用。
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：STripFET™
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大） Id,Vgs 25℃：2.7毫欧 80A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id) 25℃：160A
Id时的Vgs(th)（最大）：1V 250µA
闸电荷(Qg) Vgs：175nC 10V
通道数：1
漏源极电阻：1.8 mΩ
极性：N-Channel
耗散功率：210 W
漏源极电压(Vds)：20 V
漏源击穿电压：20 V
栅源击穿电压：±15.0 V
连续漏极电流(Ids)：160 A
上升时间：650 ns
输入电容(Ciss)：5500pF 15V(Vds)
下降时间：200 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：65℃
耗散功率(Max)：210W(Tc)
长度：7.6 mm
宽度：9.5 mm
高度：3.65 mm
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerSO-10
包装：带卷(TR)
工作温度：175℃(TJ)
功率-最大：210W
