时间：2025/7/1 2:08:45
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FN18N100J500PSG 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压和高功率应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。FN18N100J500PSG 的额定耐压为 100V，典型导通电阻较低，适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高效能电子系统。
该型号属于高性能功率 MOSFET 系列，优化了静态和动态特性以满足现代工业需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：40nC
总电容：2200pF
功耗：36W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
FN18N100J500PSG 提供了卓越的电气性能，包括较低的导通电阻以减少传导损耗，同时具备快速开关能力以降低开关损耗。其高击穿电压确保在高压环境下的稳定性。
此外，该器件采用了优化的封装设计，增强了散热性能，使得它能够在更高的结温下可靠运行。其低栅极电荷和输出电容使其非常适合高频应用。
这款功率 MOSFET 还具备优秀的雪崩能力和抗静电能力（ESD），从而提升了系统的鲁棒性。
FN18N100J500PSG 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域，如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电动工具驱动电路、LED 驱动器和汽车电子系统等。
在这些应用中，FN18N100J500PSG 的高效率和可靠性有助于延长设备使用寿命并降低能耗。
IRFZ44N
FDP18N10
STP18NF10L
