时间：2025/8/6 5:29:12
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IXTP50N28T 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于高功率应用。该器件具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能，适用于电机控制、电源转换、工业自动化等高要求场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：280V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值约0.068Ω（根据具体版本）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXTP50N28T具备多项优秀性能，包括极低的导通电阻，有效降低导通损耗并提高效率。其高耐压能力（280V）使得该器件适用于中高压功率转换系统。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高功率循环能力，能够在高温环境下稳定运行。TO-247封装形式具备优良的散热性能，适合用于高功率密度设计。该器件还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频应用。
IXTP50N28T主要用于电机驱动、逆变器、工业电源、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等高功率电子系统中。由于其高可靠性和优异的电气性能，也适用于汽车电子和工业自动化设备。
IXTP50N25T、IXTP44N28T、IXTP60N28T
