时间：2025/6/5 11:58:36
阅读：8
FN15X821K250PNG 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热损耗。
这款功率MOSFET适用于N沟道增强型场效应晶体管应用，支持高电流负载，并且在高频工作条件下仍能保持出色的性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：82A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：375W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PQFN
FN15X821K250PNG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提升整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具有良好的鲁棒性。
4. 优化的Qg（栅极电荷），以减少开关损耗。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 小型化封装，节省PCB空间，便于布局和散热设计。
此外，该器件还具有优良的热稳定性和可靠性，能够适应各种工业和消费类电子产品的严苛要求。
该芯片可应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)中的功率调节。
5. 各种工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 汽车电子中用于启停系统、电动车窗和其他大电流负载的驱动。
这些应用充分发挥了FN15X821K250PNG在高效率、高可靠性和高集成度方面的优势。
IRF840,
STP80NF7,
FDP17N10,
IXYS12N120H
