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AOD4504 发布时间 时间:2025/5/8 19:12:03 查看 阅读:20

AOD4504是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,具有超低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于广泛的电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路和电机驱动等。
  AOD4504采用先进的半导体制造工艺,优化了其动态和静态性能,使其成为高效能功率转换和切换的理想选择。其小尺寸封装(SOT23)非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻(Rds(on)):100mΩ(在Vgs=4.5V时)
  总栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

AOD4504具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻,提高了效率并减少了功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 小尺寸SOT23封装,节省PCB空间。
  4. 高电流处理能力,可支持高达1.9A的连续漏极电流。
  5. 优秀的热稳定性,能够在宽广的温度范围内可靠运行。
  6. 栅极兼容标准CMOS和TTL逻辑电平,简化了驱动电路设计。

应用

AOD4504广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. 便携式设备的电池保护电路。
  3. 各类DC-DC转换器和降压/升压电路。
  4. 电机驱动和小型继电器控制。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. LED驱动和背光控制。

替代型号

AO3400A, SI2302DS, FDMQ8203

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AOD4504参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥2.99171卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta),6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)115 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)328 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),42.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63