时间：2023/3/6 16:26:54
阅读：513
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6 毫欧 @ 21A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：105A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.25V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2840pF @ 15V
功率 - 最大：110W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRL8113PBF
| 厂商 |
|---|
| Infineon Technologies |
