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FN15X562K500PNG 发布时间 时间:2025/6/17 2:20:23 查看 阅读:3

FN15X562K500PNG 是一款由 Fairchild(现已被 ON Semiconductor 收购)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该芯片主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景,能够提供高效率的功率转换和优秀的热性能。
  其封装形式为 PQFN (Power Quad Flat No-lead),具有低热阻和小尺寸的特点,非常适合对空间敏感的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:超快恢复
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:PQFN

特性

FN15X562K500PNG 的核心优势在于其卓越的导通特性和开关性能。该芯片采用先进的制程技术,实现了非常低的导通电阻(Rds(on)),从而显著降低了功率损耗。
  此外,该器件的栅极电荷较低,有助于提升开关频率和整体效率。由于其具备较高的电流承载能力和耐压能力,这款 MOSFET 能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
  PQFN 封装进一步增强了散热性能,并减少了寄生电感的影响,使得它特别适合高频应用环境。总之,这款产品结合了高效能、紧凑设计和出色的可靠性,是现代电力电子系统中的理想选择。

应用

FN15X562K500PNG 广泛应用于需要高性能功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  3. DC-DC 转换器及 POL(Point-of-Load)调节
  4. 各类工业控制设备中的负载开关
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路
  6. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备

替代型号

IRF540N
  FDP5800
  STP55NF06L

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