时间：2025/8/25 5:31:58
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HGTP2N120CND 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高电压、高频率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高效率、高功率开关应用而设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适用于需要高可靠性和高开关性能的工业级应用。HGTP2N120CND 采用TO-247封装，具有良好的热性能和电气隔离能力。
类型：IGBT
集电极-发射极电压（Vce）：1200V
额定集电极电流（Ic）：15A
栅极-发射极电压（Vge）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
短路耐受能力：有
封装类型：TO-247
HGTP2N120CND 具有低导通压降（Vce_sat），在额定电流下通常低于2.1V，有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具备快速开关特性，其关断时间（toff）通常为85ns，适用于高频开关应用。该IGBT还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间承受过电流而不损坏，提高了系统的稳定性和可靠性。
该器件的栅极驱动要求较低，通常只需要15V的栅极驱动电压即可实现充分导通，兼容标准的IGBT驱动器。此外，HGTP2N120CND 采用先进的沟道技术，提高了器件的抗干扰能力和稳定性，适用于恶劣的工业环境。
TO-247封装提供了良好的散热性能和电气隔离，适合高功率密度设计。该封装形式也便于安装在散热器上，从而有效降低工作温度，延长器件寿命。
HGTP2N120CND 主要用于需要高电压、高频率和高可靠性的功率转换系统。典型应用包括变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、工业电源以及新能源系统如太阳能逆变器等。由于其具备良好的开关性能和耐压能力，该器件特别适用于需要高效能、小体积设计的中高功率场合。
FGA2N120ANTD、STGA2N120K5、IRGP2N120KD
