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SQM40N15-38-GE3 发布时间 时间:2025/6/29 10:28:15 查看 阅读:5

SQM40N15-38-GE3是一款基于硅材料制造的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适合需要高效能和可靠性的电力电子应用。其封装形式为TO-247,支持大电流散热需求。
  这款MOSFET属于N沟道增强型,意味着它需要正向栅极电压来开启导通状态。其主要特点是优化了开关性能和热管理能力,适用于工业级和消费级产品设计。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:0.06Ω
  栅极电荷:60nC
  开关时间:ton=95ns, toff=50ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

SQM40N15包括:
  1. 高耐压能力:能够承受高达150V的漏源电压,确保在高电压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为0.06Ω,有助于降低导通损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关性能:短开关时间和低栅极电荷设计减少了开关损耗,提升了高频应用的效能。
  4. 热稳定性强:具备宽泛的工作温度范围,可适应恶劣环境条件。
  5. 大电流处理能力:连续漏极电流达40A,满足高功率应用需求。
  6. 可靠性高:采用先进的制造工艺和严格的测试标准,保证长期使用中的可靠性。

应用

SQM40N15-38-GE3适用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC或DC/DC转换电路中作为主开关元件。
  2. 电机驱动:控制直流无刷电机或其他类型电机的启动、停止及调速。
  3. 逆变器:光伏逆变器或UPS不间断电源中的关键组件。
  4. 工业自动化:如PLC控制器中的功率输出模块。
  5. 汽车电子:电动车窗、座椅调节等辅助系统的驱动电路。
  6. 其他应用:任何需要高性能开关或负载切换的应用场景。

替代型号

SQM40N15L-38-GE3, IRF740, STP40NF15

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SQM40N15-38-GE3参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C38 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3390pF @ 25V
  • 功率 - 最大166W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263(D2Pak)
  • 包装带卷 (TR)