时间：2025/7/18 8:45:16
阅读：12
GRT0335C2A200FA02D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，适用于高频、高功率密度的应用场景。该芯片采用增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著提高电源转换效率并减小系统尺寸。
其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产，并且具备良好的热性能。这款芯片主要面向服务器电源、通信设备、工业电源以及消费类电子快充适配器等领域。
型号：GRT0335C2A200FA02D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (GaN FET)
导通电阻：20 mΩ（典型值）
击穿电压：650 V
最大漏极电流：12 A
栅极驱动电压：4.5 V 至 6 V（开启），0 V 至 2 V（关断）
开关频率：支持高达 2 MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK8
反向恢复电荷：小于 30 nC
GRT0335C2A200FA02D 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高速开关能力，支持高达 2 MHz 的工作频率，适合高频应用。
3. 内置优化的栅极驱动设计，简化了外部驱动电路设计。
4. 良好的热性能和封装设计，确保在高功率密度下的可靠运行。
5. 支持宽范围的工作温度，适应各种严苛环境条件。
6. 反向恢复电荷极低，减少了开关过程中的能量损失。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子产品中。
GRT0335C2A200FA02D 广泛应用于以下领域：
1. 电源管理：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器，特别是对效率要求较高的场合。
2. 快速充电器：支持 USB PD 协议的手机和平板电脑充电器。
3. 数据中心和服务器电源：提供高效能的电源解决方案。
4. 工业电源：包括焊接机、LED 驱动器和其他工业控制设备。
5. 通信设备：基站电源、路由器和交换机等需要高性能电源的场景。
6. 消费类电子产品：电视电源、音响设备等。
此器件凭借其优异的性能，成为现代电力电子设计的理想选择。
GRT0335C2A150FA02D
GRT0335C2A250FA02D
STGAP100B
EPC2016C
