时间：2025/6/22 5:41:19
阅读：3
FN15N6R0D500PNG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率、低功耗应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡，适合用于各类电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等应用。其封装形式为 DPAK (TO-252)，具有出色的散热性能和较高的电流承载能力。
这款 MOSFET 的耐压值为 600V，能够适应高压环境下的工作需求，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：450mΩ
栅极电荷（典型值）：35nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-252)
功率耗散：约 85W
FN15N6R0D500PNG 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力（600V），适用于多种高压场景，如工业设备和汽车电子。
2. 较低的导通电阻（450mΩ 典型值），有助于降低导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗，支持高频操作。
4. 宽温度范围支持（-55℃ 至 +175℃），确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 封装采用标准 DPAK (TO-252)，便于安装和维护，同时提供良好的散热性能。
6. 内部结构优化以提高可靠性，并具备较强的抗浪涌能力。
该型号 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制，例如步进电机或无刷直流电机。
3. 各类负载切换应用，包括电池保护、继电器替代等。
4. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率器件。
5. 工业自动化设备中的高压开关控制。
6. 汽车电子系统中的负载驱动与保护功能实现。
IRF540N
FDP15N60E
STP15NF06L
