时间：2025/7/22 7:10:39
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QMV975-1EF5 是一款由 Qorvo 公司生产的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高功率射频（RF）应用而设计。该器件结合了 GaN 技术的高性能和 Qorvo 在射频半导体领域的深厚积累，适用于无线基础设施、雷达、测试设备以及工业和科学设备中的功率放大器设计。
类型：GaN HEMT
工作频率：DC 至 3.5 GHz
输出功率：典型值为 975 W（脉冲模式）
漏极电压：最大 50 V
工作模式：脉冲或连续波（CW）
封装类型：陶瓷气密封装
输入和输出阻抗：50Ω
增益：典型值为 18 dB
效率：典型值超过 60%
热阻：Rth(j-c) = 0.15°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
QMV975-1EF5 的核心优势在于其 GaN 技术所带来的高功率密度、高效率和宽频带性能。该器件能够在高达 50 V 的电压下运行，提供了比传统 LDMOS 晶体管更高的输出功率和更好的热管理能力，从而减少了对复杂散热系统的需求。此外，QMV975-1EF5 在 3.5 GHz 频率范围内具有优异的线性度和稳定性，使其适用于多频段和宽带通信系统。
该晶体管采用先进的封装技术，确保了良好的射频性能和热稳定性。封装设计有助于减少寄生效应，并提供良好的机械强度和环境适应性。QMV975-1EF5 的高效率特性使其在高功率应用中能够显著降低能耗和散热需求，从而提高整体系统的可靠性和寿命。
器件还具有良好的抗失真能力，适用于现代通信系统中对信号完整性和频谱效率要求较高的场景。QMV975-1EF5 的高可靠性设计使其能够在严苛的工业和军事环境中稳定工作。
QMV975-1EF5 主要用于需要高功率输出和高效率的射频功率放大器设计。典型应用包括蜂窝基站（如 4G LTE 和 5G NR 基站）、雷达系统、电子战设备、射频测试仪器以及工业加热和等离子体生成设备。其宽频带特性也使其适用于多频段和软件定义无线电（SDR）系统中的通用功率放大器设计。
QGH975-10L、CGHV96300、T2C1001K
