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FN15N5R6D500PNG 发布时间 时间:2025/5/27 15:06:08 查看 阅读:25

FN15N5R6D500PNG是一种基于硅技术的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频和高效率开关应用。该器件采用N沟道增强型设计,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制场景中。
  该型号由知名半导体制造商生产,具体封装形式为PQFN(薄型四方扁平无引脚封装),能够有效降低寄生电感并提高散热性能,使其非常适合对空间要求严格且需要高效能的应用环境。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):0.05Ω
  栅极电荷(典型值):45nC
  总电容(输入电容):1200pF
  功耗:30W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

FN15N5R6D500PNG的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性。以下是该芯片的关键特性:
  1. 高耐压能力:支持高达500V的工作电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻:典型值仅为0.05Ω,可显著减少传导损耗。
  3. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使得开关时间更短,从而提升效率。
  4. 小型化封装:采用PQFN封装,有助于缩小整体电路板尺寸。
  5. 宽工作温度范围:能够在极端温度条件下保持性能稳定性。
  6. 良好的热性能:具备高效的散热通道以应对高功率应用场景。

应用

该芯片适用于多种领域中的关键应用,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动控制器
  4. 太阳能逆变器
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备
  7. 电动工具与家电产品
  由于其高效率和高可靠性的特点,FN15N5R6D500PNG特别适合需要长时间运行及高负载的复杂电子系统。

替代型号

IRFP250N
  FDP15N50
  STP15NF50

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