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FN03X331K160PLG 发布时间 时间:2025/5/29 13:58:38 查看 阅读:7

FN03X331K160PLG 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为需要高效率和低损耗的应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有出色的开关特性和导通性能。
  这款 MOSFET 主要用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等应用中。其封装形式为 PLG,具备良好的散热性能和电气特性,能够满足多种工业及消费类电子设备的需求。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:30V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:160A
  导通电阻 Rds(on):3.3mΩ
  栅极电荷 Qg:85nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:PLG

特性

FN03X331K160PLG 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力。这使得它在功率转换和驱动应用中表现出色,能够显著降低导通损耗并提高整体效率。
  此外,该器件的快速开关速度可以减少开关损耗,从而进一步提升系统性能。同时,其高耐热能力和大电流承载能力使其非常适合严苛的工作环境。
  该 MOSFET 还具备优异的静电防护能力(ESD Protection),可有效防止因静电放电导致的损坏,提高了产品的可靠性和稳定性。

应用

FN03X331K160PLG 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)中的主功率开关
  2. 电机控制和驱动电路中的功率级
  3. DC-DC 转换器的核心元件
  4. 工业自动化设备中的负载切换
  5. 新能源汽车电池管理系统(BMS)中的功率分配
  6. 充电器和适配器中的功率调节组件
  由于其卓越的电气性能和可靠性,FN03X331K160PLG 成为许多高功率密度应用的理想选择。

替代型号

IRFP2907,
  FDP177NS,
  IXFH32N10T2,
  STP160N10F5

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