类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值约为13毫欧（@VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

G068N08的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。这一特性对于高电流应用尤为重要，因为它直接关系到器件在工作时的发热程度。
　　其次，G068N08具有较高的耐压能力，漏源之间的最大电压为80V，这使其适用于中高功率的电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于多种工业和汽车应用环境。
　　在封装方面，G068N08采用TO-220封装，这种封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于在PCB上安装和使用。TO-220封装通常具有一个可焊接在散热片上的金属背板，从而有效降低结温，延长器件寿命。
　　最后，G068N08还具有快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小外围电路的体积，提高电源系统的功率密度。

G068N08广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。常见的应用包括DC-DC降压或升压转换器、电源适配器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路。
　　在DC-DC转换器中，G068N08可以作为主开关器件，负责将输入电压转换为所需的输出电压。由于其低导通电阻和高频开关能力，能够显著提高转换效率并减小电感和电容的体积。
　　在电源适配器中，该器件可用于同步整流电路，以取代传统的肖特基二极管，进一步提高转换效率并降低发热量。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，G068N08也常用于控制大功率负载，如直流电机、电磁阀和加热元件。由于其高可靠性和宽工作温度范围，能够适应复杂的工业环境和车载条件。
　　此外，G068N08还适用于各种功率因数校正（PFC）电路，帮助提高电源的输入功率因数，减少电网污染。

IRF3710, FDP6810, STP60NF06, SiR882DP