工作频率：3.3 GHz - 4.2 GHz
　　输出功率：典型值为 5 W（27 dBm）
　　增益：典型值为 30 dB
　　效率：典型值为 40%
　　供电电压：典型值为 28 V
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

ACPM-5205-TR1R 拥有多项关键特性，确保其在高性能射频系统中的可靠性和效率。首先，该器件采用 GaN 技术，相较于传统的 LDMOS 或 GaAs 技术，GaN 提供了更高的功率密度和更高的工作频率能力，同时具备良好的热稳定性和高击穿电压，使其在高功率条件下仍能保持优异性能。
　　其次，ACPM-5205-TR1R 设计为高度集成的模块，内部包含多级放大器结构、输入匹配网络、输出匹配网络以及集成的定向耦合器，简化了外部电路设计并提高了系统集成度。该模块支持高线性度操作，适用于复杂的调制格式，如 64-QAM 或更高，满足 5G NR（新空口）标准对频谱效率和信号完整性的要求。
　　此外，该模块具备良好的热管理和过温保护功能，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其表面贴装封装（SMT）设计便于自动化生产和高密度布局，适用于大规模 MIMO 天线架构和远程射频单元（RRU）等应用场景。
　　ACPM-5205-TR1R 还具备低噪声系数和高隔离度特性，有助于提升接收路径的信号质量，同时减少相邻通道干扰。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其适用于各种户外和工业环境。

ACPM-5205-TR1R 主要应用于 5G 基站系统，包括宏基站、小型基站（Small Cells）和大规模 MIMO 天线系统。它适用于 3.5 GHz 频段（如 n77/n78/n79）的 5G NR 网络部署，能够满足高密度用户场景下的高速数据传输需求。此外，该模块也可用于工业通信设备、测试与测量仪器、无线接入网络（WAN）设备以及远程射频头（RRH）等射频系统中。
　　在大规模 MIMO 系统中，ACPM-5205-TR1R 可用于多个发射通道的功率放大，提供一致的增益和输出特性，从而提高天线系统的整体效率和波束成形能力。其高集成度和小尺寸设计也非常适合于高密度部署环境，如城市微基站和室内分布系统。

ACPM-5105-TR1R, ACPM-5220-TR1R, QPA2543