时间：2025/7/11 13:04:55
阅读：12
FN03N1R2C500PLG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。
FN03N1R2C500PLG 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等场景，其封装形式为 PLG 封装，适合高密度设计需求。
型号：FN03N1R2C500PLG
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：500V
Rds(on)（导通电阻）：1.2Ω（典型值，25℃）
Id（连续漏极电流）：3A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V~4.5V
输入电容 Ciss：480pF（典型值）
最大功耗：7W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装：PLG
FN03N1R2C500PLG 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（500V），适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.2Ω），有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，能够有效降低开关损耗。
4. 较宽的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适合各种恶劣环境下的应用。
5. PLG 封装设计紧凑，便于 PCB 布局和散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
该器件凭借其优异的电气特性和可靠性，成为许多功率电子应用的理想选择。
FN03N1R2C500PLG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
3. 电机驱动和逆变器模块。
4. 负载开关和固态继电器。
5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
6. 汽车电子中的启动和停止控制。
其高耐压和低导通电阻特性使其非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子设计。
IRF540N
FQP15N50
STP12NK50Z
