时间：2025/6/20 22:37:14
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ZVN4306GVTA是一种N沟道垂直功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电源管理和电机驱动等场景。
这种MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），能够提供良好的散热性能和高电流处理能力。其设计使得它在高效能、小体积的应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：0.09Ω
栅极电荷：7nC
总电容：180pF
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻设计，有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，减少能量损失。
3. 高雪崩击穿能量，增强器件的鲁棒性和可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
5. 封装紧凑，便于PCB布局和集成到小型化产品中。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电池管理系统的保护和控制。
4. 消费电子产品的负载开关。
5. 工业设备中的电机驱动和控制模块。
6. 照明系统的驱动电路，如LED驱动器。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP5500
