时间：2025/6/16 18:31:02
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FN03B105M6R3PLG是一种高性能的金属氧化物半导体电容器（MOSCAP），通常用于射频和高频电路中的信号处理与滤波。该元器件具有出色的频率稳定性和低插入损耗，适用于需要高可靠性和高频性能的应用场景。
该型号由专业制造商提供，设计为表面贴装器件（SMD），便于自动化生产，并能有效节省PCB空间。
电容值：105 pF
额定电压：6.3 V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：0402
耐湿性等级：Level 1
绝缘电阻：大于500 MΩ
介质材料：陶瓷
ESR（等效串联电阻）：小于10 mΩ
FN03B105M6R3PLG具备高Q值，在高频条件下能够保持较低的损耗，从而提升整体电路效率。
它采用了先进的陶瓷介质技术，确保了稳定的电容值和优异的温度特性。
由于其小型化的0402封装，使得该元件非常适合紧凑型设计，同时具备良好的机械稳定性。
此外，该型号还具有极高的抗干扰能力，适合于对噪声敏感的射频应用环境。
该电容器广泛应用于无线通信设备、射频模块、蓝牙设备以及GPS接收器中。
在这些应用中，FN03B105M6R3PLG主要用于匹配网络、滤波器设计、谐振电路和信号耦合等功能。
此外，它也可以用作去耦电容以减少电源噪声对敏感电路的影响。
FN03B105M6R3NLG
C0402C105P6R3AC
GRM152R60J105KE87
