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FEE4E16180070R100JT 发布时间 时间:2025/7/1 22:46:29 查看 阅读:5

FEE4E16180070R100JT 是一款由知名半导体制造商生产的高性能功率 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用。此器件通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等场景。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  额定电压:650V
  额定电流:100A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:90nC
  最大功耗:250W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

FEE4E16180070R100JT 具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻:1.8mΩ 的典型值使其在高电流应用中表现出色,减少传导损耗。
  2. 高效率:优化的开关性能和低栅极电荷使得其在高频操作下保持高效。
  3. 热稳定性强:能够承受高达 175°C 的结温,适合高温环境下的应用。
  4. 快速开关能力:具备快速开关特性,降低了开关损耗。
  5. 强大的浪涌电流能力:可以应对瞬间的大电流冲击,提高系统可靠性。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于各种领域:
  1. 工业设备:如逆变器、不间断电源 (UPS) 和伺服驱动器。
  2. 汽车电子:包括电动车辆的牵引逆变器和车载充电器。
  3. 通信电源:用于基站电源和电信设备中的电源模块。
  4. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器和家用电器中的电源转换部分。
  5. 太阳能和储能系统:用作光伏逆变器和储能系统的功率开关元件。

替代型号

FDP8740, IRFP260N, STP100N06LL

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