PDYL3R30R5-DFN2510 是一款采用 DFN2510 封装的低阻值功率 MOSFET,适用于高效能开关电源、负载开关及电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力,能够在高频和高温环境下提供出色的性能表现。
其设计优化了功耗和散热特性,能够满足现代电子设备对小型化、高效化的需求。
型号:PDYL3R30R5-DFN2510
封装:DFN2510
最大漏源电压(Vdss):30V
最大连续漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):3mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):8nC(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
结温(Tj):150℃
PDYL3R30R5-DFN2510 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有效减少功率损耗并提高效率。
2. 高效的热传导设计,适合长时间运行在高温环境。
3. 小型化的 DFN2510 封装,节省 PCB 空间,同时保持优秀的电气性能。
4. 快速开关速度,降低开关损耗,非常适合高频应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅制造工艺。
6. 可靠的 ESD 防护设计,增强芯片抗静电能力。
7. 支持大电流操作,适用于高功率密度场景。
PDYL3R30R5-DFN2510 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS) 中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 消费类电子设备中的负载开关。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 各种工业电机驱动和控制系统。
6. LED 驱动电路中的电流调节元件。
7. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理单元(PMU)。
IRLML6402, FDMQ8209, AO3400