BAV199TR 时间：2025/8/14 21:56:56 阅读：14

BAV199TR是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双极型晶体管阵列，属于小信号晶体管系列。该器件包含两个独立的NPN晶体管，采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装形式，适用于需要低功耗和高频率响应的电子电路设计。BAV199TR广泛应用于模拟和数字电路中，如放大器、开关电路、信号处理以及传感器接口等领域。由于其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，该器件非常适合在空间受限的便携式设备中使用。

参数

类型：双极型晶体管（NPN）
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管数量：2
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大基极电流（Ib）：5mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

BAV199TR的主要特性包括其高频率响应和宽温度工作范围，使其适用于多种通用和高频应用。该器件的两个NPN晶体管彼此独立，可分别用于不同的电路功能，提高了设计的灵活性。其hFE（电流增益）范围广泛，从110到800不等，具体数值取决于集电极电流的大小，使得该晶体管能够适应不同的放大需求。此外，BAV199TR具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于减少功耗并提高效率。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装技术（SMT）组装流程。由于其优异的电气特性和可靠性，BAV199TR广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。

应用

BAV199TR晶体管阵列常用于各种电子电路设计中，例如音频放大器、射频（RF）放大器、开关电路、逻辑门电路、缓冲器以及传感器信号调理电路等。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件可作为低噪声放大器或高速开关使用。此外，在工业自动化和控制系统中，BAV199TR可用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。由于其良好的高频特性，该器件也可用于无线通信模块中的信号处理和调制解调电路。