制造商：AMD
　　产品类别：SRAM
　　存储容量：256 Kbit
　　组织结构：32K × 8
　　供电电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：32-PLCC
　　访问时间：15 ns / 20 ns / 25 ns（可选版本）
　　接口类型：并行异步
　　读写模式：异步读写
　　输入/输出逻辑电平：TTL/CMOS 兼容
　　待机电流：典型值 10 μA
　　工作电流：典型值 25 mA
　　引脚数：32
　　安装类型：表面贴装（SMD）

AM25LS2518/BEA 采用先进的 CMOS 制造工艺，显著降低了动态和静态功耗，特别适用于便携式设备和远程工业终端等依赖电池供电的应用场景。其低功耗特性体现在多个方面：在正常工作模式下，典型工作电流仅为 25mA，而在待机或掉电模式下，待机电流可低至 10μA，有效延长了系统续航时间。这种灵活的电源管理能力使得该芯片能够在系统空闲时进入低功耗状态，而在需要快速响应时迅速恢复全速运行，兼顾性能与能效。
　　该器件具备出色的存取速度，提供多种访问时间选项（如 15ns、20ns 和 25ns），能够满足不同系统对数据处理延迟的要求。高速访问能力使其非常适合用于缓存临时数据、暂存运算结果或作为微控制器的外部扩展内存。其异步接口无需时钟同步信号，简化了时序设计，减少了对外部时钟源的依赖，提升了系统的整体可靠性。
　　AM25LS2518/BEA 支持全静态操作，意味着只要电源持续供应，数据即可长期保存而无需刷新操作，这与 DRAM 形成鲜明对比。这一特性不仅降低了系统复杂度，还提高了数据完整性。此外，芯片内部集成了地址锁存和输出驱动电路，确保信号完整性，并增强了抗噪声干扰能力。
　　该SRAM具有宽泛的工作电压范围（2.7V 至 3.6V），适应于使用不同电源架构的系统设计，尤其适合采用锂离子电池或备用电源供电的设备。其工作温度范围覆盖 -40°C 到 +85°C，符合工业级应用标准，可在高温或低温环境下稳定运行，适用于户外通信基站、车载电子、自动化控制系统等严苛环境。
　　在可靠性方面，AM25LS2518/BEA 经过严格的老化测试和质量控制流程，具备高耐久性和长寿命。其 PLCC 封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产，同时允许手工焊接维护，适用于小批量生产和维修场景。整体而言，这款SRAM在性能、功耗、可靠性和兼容性之间实现了良好平衡，是传统嵌入式系统中值得信赖的存储选择。

AM25LS2518/BEA 广泛应用于需要高速、低功耗、非易失性外围存储的各种电子系统中。在工业自动化领域，它常被用作可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和数据采集模块中的缓冲存储器，用于暂存传感器数据、控制指令或中间计算结果。由于其宽温特性和高可靠性，该芯片也适用于恶劣工业环境下的远程监控设备和智能仪表。
　　在通信设备中，AM25LS2518/BEA 被集成于路由器、交换机和调制解调器中，作为协议处理单元的临时数据存储区，支持快速封包处理和队列管理。其高速访问能力有助于提升网络吞吐量和降低延迟，保障通信链路的稳定性。
　　在嵌入式系统和微控制器应用中，该SRAM常作为主控芯片的外部扩展内存，弥补片上RAM容量不足的问题，尤其适用于运行实时操作系统（RTOS）或多任务处理的应用场景。例如，在医疗设备、测试仪器和消费类电子产品中，它可以存储配置参数、用户设置或运行日志。
　　此外，该器件也被用于军事和航空航天领域的加固型电子系统中，因其具备较强的抗辐射和温度适应能力。在这些高端应用中，AM25LS2518/BEA 提供了稳定的数据存储支持，确保关键任务系统的连续运行。
　　由于其并行接口设计简单、时序清晰，AM25LS2518/BEA 还常被用于教学实验平台和原型开发板中，帮助学生和工程师理解存储器工作原理及总线操作机制。尽管新型串行存储器逐渐普及，但在需要高带宽并行访问的场合，此类SRAM仍具有不可替代的优势。

CY62158EV30-15ZSXI