存储容量：2 Kbit (256 x 8)
　　接口类型：I2C 串行接口
　　工作电压范围：2.7V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：最高支持 1 MHz
　　写入耐久性：高达 10^14 次写入周期
　　数据保持时间：超过 10 年（在 +85°C 下）
　　封装类型：SOIC-8 或 TSSOP-8
　　待机电流：典型值 10 μA
　　工作电流：典型值 150 μA（在 1 MHz 写入操作下）
　　写入时间：字节写入时间小于 150 ns
　　页大小：无页写入限制（支持字节级写入）

FMX-22SL的核心优势在于其采用的铁电存储技术，这种技术利用铁电晶体材料的极化状态来存储数据，能够在无需持续供电的情况下保持信息。与传统的EEPROM或Flash不同，FRAM不需要擦除操作即可直接改写数据，极大提升了写入效率并减少了系统延迟。其写入速度接近SRAM水平，写入延迟仅为纳秒级别，显著优于毫秒级的EEPROM写入时间，特别适合实时数据记录和高速缓存应用。
　　该芯片具备卓越的写入耐久性，可支持高达10^14次的写入周期，是标准EEPROM（通常为10^6次）的数万倍。这意味着在频繁进行数据更新的系统中，FMX-22SL几乎不会因写入磨损而失效，极大地延长了系统的使用寿命并降低了维护成本。此外，由于无需高电压编程和擦除过程，FRAM的功耗极低，不仅在写入时能耗小，在待机状态下也仅消耗微安级电流，非常适合电池供电或能量采集系统。
　　I2C接口设计使得FMX-22SL易于集成到现有嵌入式系统中，兼容标准I2C协议，支持多设备总线连接，并可通过硬件地址引脚实现多个FRAM芯片在同一总线上共存。其2 Kbit的存储容量虽不大，但足以存储关键配置参数、校准数据、运行日志或事件计数等重要信息。芯片内部集成了写保护机制，可通过硬件引脚或软件命令启用，防止意外写入或数据篡改，增强了数据安全性。
　　FMX-22SL还具备出色的抗辐射和抗电磁干扰能力，适用于严苛的工业和汽车环境。其数据保持性能在高温环境下依然稳定，在+85°C条件下可确保超过10年的数据保留，远高于许多同类产品。整体而言，FMX-22SL是一款高可靠性、长寿命、低功耗的非易失性存储解决方案，特别适用于对数据完整性、写入性能和系统稳定性有极高要求的应用场景。

FMX-22SL广泛应用于多种需要高可靠性和频繁数据写入的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器模块和远程IO设备中，用于实时保存工艺参数、设备状态和故障日志，确保在突然断电时关键数据不丢失。在智能电表、水表和燃气表等计量设备中，该芯片可用于存储累计用量、校准系数和抄表记录，满足长时间数据保存和频繁更新的需求。
　　在医疗设备方面，FMX-22SL被用于便携式监护仪、血糖仪和输液泵等产品中，用于记录患者数据、操作历史和设备校准信息，确保数据的安全性和可追溯性。在汽车电子系统中，可用于车身控制模块、车载记录仪和ECU中，存储配置信息、里程数据和诊断记录，适应宽温环境和振动条件。
　　此外，该芯片也适用于POS终端、打印机、条码扫描器等商用设备，用于缓存交易数据、打印任务和用户设置，避免因断电导致数据丢失。在物联网节点和无线传感器网络中，FMX-22SL配合低功耗MCU使用，可在能量采集供电条件下实现可靠的数据暂存和事件记录。其快速写入特性也使其成为替代锂电池备份SRAM的理想选择，简化电源设计并提高系统环保性。

MB85RC256V
　　CY15B104QSI