型号：FMW47N60S1HF-53
　　制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：47A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：188A
　　最大导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：145nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3420pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：115pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

FMW47N60S1HF-53采用了onsemi独有的SuperFET技术，这是一种基于电荷平衡原理的高压MOSFET制造工艺，通过在漂移区引入精确掺杂的P型柱结构，实现对电场分布的优化控制，从而显著降低单位面积下的导通电阻。这种创新结构使得器件在保持600V高击穿电压的同时，Rds(on)可低至75mΩ，极大减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效表现。尤其在PFC（功率因数校正）电路中，该特性有助于满足日益严格的能源效率标准如80 PLUS Titanium等级要求。
　　该器件具备出色的动态性能，其栅极电荷Qg仅为145nC（典型值），意味着驱动电路所需的能量更少，有利于减少驱动损耗并支持更高的开关频率操作。配合较低的输出电容Coss（115pF），可以有效降低开关过程中的能量损耗，特别是在硬开关拓扑中表现突出。此外，输入电容Ciss为3420pF，有助于提升高频响应能力，同时避免过高的dv/dt导致误触发问题。
　　在可靠性方面，FMW47N60S1HF-53经过严格测试，具备良好的热稳定性与长期工作耐久性。其最大工作结温可达150°C，并支持宽泛的环境温度范围，适用于工业环境下的严苛条件。内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间trr，降低了反向恢复电荷Qrr，从而减少了交叉导通期间的能量损耗和潜在的电压尖峰风险，提高了系统安全性。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不损坏，增强了电源系统的鲁棒性。TO-220F封装提供了良好的散热路径，便于安装散热片以进一步提升功率处理能力。综合来看，FMW47N60S1HF-53是一款集高效率、高可靠性与良好热管理于一体的先进功率MOSFET，特别适合用于现代高密度、高效率电源设计。

FMW47N60S1HF-53广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适用于需要高压、大电流和高频率切换的场合。在功率因数校正（PFC）电路中，它常被用作升压变换器中的主开关管，凭借其低Rds(on)和优异的开关特性，能够显著提升PFC级的转换效率，满足高端服务器电源、通信电源及工业电源对能效等级的要求。在LLC谐振转换器拓扑中，该器件可用于半桥或全桥结构中的主开关元件，利用其低栅极电荷和快速开关能力，实现软开关操作，进一步降低开关损耗，提高整体电源效率。
　　此外，该MOSFET也适用于通用AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品，特别是在追求小型化和高效能的设计中发挥重要作用。其高耐压特性使其能够在宽输入电压范围内稳定工作，适应全球不同地区的电网电压变化。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动工具电源模块中，FMW47N60S1HF-53同样展现出卓越的性能，能够承受频繁的开关循环和瞬态负载波动。
　　由于其具备良好的热性能和可靠的封装设计，该器件还可用于工业电机驱动、焊机电源和感应加热设备等高功率应用场景。在这些系统中，稳定的导通特性和强大的散热能力确保了长时间连续运行的可靠性。同时，其快速体二极管特性有助于抑制感性负载引起的反向电流冲击，保护电路免受损害。总体而言，FMW47N60S1HF-53是一款多功能、高性能的功率MOSFET，适用于从消费电子到工业电力电子的广泛领域。

FCH47N60NF
　　FQP47N60C
　　K2479