类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：25A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（最大）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：160W

FMW25N50G 具备多项关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（500V VDS）确保了该器件可以在高电压环境下稳定运行，适用于多种高压电源转换系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低（最大0.23Ω），显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，其连续漏极电流能力为25A，使其能够支持较大功率负载的切换操作。
　　在封装方面，FMW25N50G 采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热性能，适合在高温环境下使用。该封装设计也有助于在PCB布局中实现高效的热管理。此外，该器件具备较高的栅极抗干扰能力（±30V VGS），能够在复杂电磁环境中保持稳定工作，避免误触发或损坏。
　　从可靠性角度来看，FMW25N50G 的硅基结构经过优化，具备较长的使用寿命和较强的抗热疲劳能力，适用于频繁开关操作的应用场景。同时，其内部结构设计降低了开关过程中的能量损耗，从而减少了整体系统的发热问题，提高了运行稳定性。

由于其高电压、大电流和低导通电阻的特点，FMW25N50G 被广泛应用于多个工业与消费类电子产品中。在电源领域，该器件常见于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及不间断电源（UPS）系统中，用于高效能的电能转换和管理。在电机控制方面，该MOSFET可用于驱动直流电机、无刷直流电机（BLDC）以及步进电机，提供快速响应和稳定的功率输出。
　　此外，FMW25N50G 也广泛用于新能源设备中，例如太阳能逆变器、风能转换系统和储能系统的功率模块中，负责高效地将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业伺服驱动器以及自动化测试设备（ATE）中，作为关键的功率开关元件。
　　在电动汽车相关应用中，该MOSFET也可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等部件，以实现高效、可靠的电力转换。

2SK2143, IRFPE50, STW25NK50Z, FQA25N50C