时间：2025/6/17 16:27:56
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STB35NF10T4是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于要求高效能和高可靠性的应用中。STB35NF10T4采用了TO-220封装形式，易于集成到各种电力电子系统中。
这款功率MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等。其出色的电气性能使其成为设计工程师在开发高效能电子产品时的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：35A
导通电阻：8.5mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
栅极电荷：27nC（典型值）
开关时间：ton=23ns，toff=48ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
STB35NF10T4具有非常低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，从而提升系统的整体效率。此外，其快速的开关特性有助于降低开关损耗，这对于高频操作尤为重要。该器件还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现。
另外，STB35NF10T4内置了多重保护机制，例如雪崩击穿保护和热关断保护，这些功能增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。其高电流处理能力也使得它能够胜任一些对功率要求较高的应用场合。
总体而言，STB35NF10T4凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多功率转换和控制应用中的关键元件。
STB35NF10T4广泛应用于各类电力电子设备中，主要包括开关模式电源（SMPS）、逆变器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块等。
在消费类电子产品领域，该器件常用于笔记本适配器、电视电源板以及其他需要高效功率转换的场景。此外，在汽车电子领域，STB35NF10T4也能满足诸如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等应用的需求。
IRFZ44N
STP36NF10L
FDP55N10
