类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：44mΩ（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：10V
　　功率耗散：2.8W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

HAT2195ROI-EL-E具有多项优秀的电气和物理特性。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中减少功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，最大漏极电流可达6A，使其适用于负载开关和电源管理电路。其10V栅极电压设计允许与标准逻辑驱动器兼容，简化了驱动电路的设计。由于采用了东芝先进的制造工艺，该器件在高温环境下仍能保持稳定性能，工作温度范围为-55°C至150°C，适合各种严苛环境下的应用。同时，紧凑的SOP封装形式不仅节省空间，还提高了电路板的组装效率。
　　另一个显著的特性是该MOSFET的高可靠性。HAT2195ROI-EL-E在设计上优化了热管理和电气稳定性，能够在长时间运行中保持稳定的性能。这种高可靠性使其成为工业设备、消费电子产品和汽车电子系统的理想选择。此外，该器件的低漏电流和快速开关特性进一步提升了其在高频开关应用中的表现。

HAT2195ROI-EL-E广泛应用于多种电子设备和系统中。常见用途包括电源管理模块、DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关控制电路。由于其高效率和低导通电阻，它在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中常用于电源管理和电池保护电路。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于电机驱动、继电器替代和高电流开关应用。此外，HAT2195ROI-EL-E也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、车身控制模块和LED照明驱动电路。由于其紧凑的封装和高可靠性，该器件在空间受限和对稳定性要求较高的设计中尤为受欢迎。

Si2302DS, FDS6680, IRF7409, FDMS86101