时间：2025/8/6 12:51:02
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IXTH13N110 是一款由 Littelfuse（原IXYS公司）生产的高电压、高电流N沟道增强型MOSFET，属于该公司高性能功率MOSFET产品线。该器件专为需要高效率、高可靠性和高开关速度的功率转换应用设计，适用于如电源、逆变器、电机控制和工业自动化等高压、大电流场景。其1100V的漏源击穿电压和高达13A的连续漏极电流使其在高压DC-AC转换和开关电源中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：1100V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：13A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：52A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.75Ω（Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
IXTH13N110 具有优异的导通和开关性能，能够承受高电压和大电流。其导通电阻较低，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。其封装设计有利于良好的散热，适合高功率密度的应用。该器件还具有较高的dv/dt耐受能力，能够在快速开关过程中避免误触发。此外，其栅极结构设计有助于提高驱动效率，降低驱动损耗。
IXTH13N110 主要用于高压和高功率应用场景，如高压开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动、UPS系统、工业控制设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电系统）。此外，它也适用于需要高压隔离和高效能转换的工业自动化和电力电子设备。
IXTH13N120, IXTH16N110
