时间：2025/8/9 17:06:52
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FMV12N60ES是一款高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由飞虹（FJC）公司生产。该器件适用于高功率开关应用，具有低导通电阻和高耐压能力，能够承受较大的电流和电压负载。该MOSFET采用TO-220封装，适用于多种电源管理和功率转换电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：12A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大）
栅极电压范围：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FMV12N60ES的主要特性包括高耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，适合用于高压电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于各种功率电子设备。
该器件还具有较快的开关速度，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，其较高的栅极电压容限（±30V）使其在驱动电路设计上更加灵活，降低了因过压导致损坏的风险。此外，FMV12N60ES在短路和过载条件下具有一定的抗扰能力，提高了系统的稳定性和安全性。
该MOSFET广泛应用于各类电源设备，如开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制器、逆变器以及家用电器中的功率控制模块。由于其高压和高电流特性，FMV12N60ES也常用于工业自动化设备、UPS不间断电源系统以及新能源领域的功率转换装置。
K2645, IRF840, FQA12N60C
