时间：2025/8/9 7:16:58
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FMU05N60G是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于各种高效率电源系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C~150°C
FMU05N60G具有较低的导通电阻，这使得它在高负载条件下能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件的漏极-源极电压额定值为600V，适用于高电压应用场景。此外，其栅极阈值电压范围适中，能够在常见的驱动电路中轻松控制，同时保持较高的稳定性。
这款MOSFET具备良好的热性能，能够有效散热，从而在高功率应用中保持稳定工作状态。其先进的沟槽式设计优化了电场分布，降低了开关损耗，同时提高了器件的可靠性和寿命。此外，FMU05N60G还具备较强的抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流和电压，防止因瞬态过载而损坏器件。
FMU05N60G广泛应用于电源管理领域，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。由于其高耐压和低导通电阻特性，它特别适合用于高效率电源转换系统，以降低能量损耗并提升整体性能。
FQA5N60C, IRF540N, STP5NK60Z
