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FMMT5179TA 发布时间 时间:2025/12/26 10:19:14 查看 阅读:8

FMMT5179TA是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的表面贴装NPN双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23(SC-59)小型封装,适用于高频、中等功率的应用场景。该器件专为射频(RF)放大器、高速开关电路以及通用模拟信号处理设计,具有优异的增益性能和快速开关响应能力。FMMT5179TA在工作时表现出较低的饱和电压和较高的直流电流增益(hFE),使其在便携式电子设备和空间受限的设计中极具吸引力。其高截止频率(fT)可达200MHz以上,确保了在高频信号放大应用中的稳定表现。此外,该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性,符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适用于现代绿色电子产品制造。FMMT5179TA广泛用于无线通信模块、电源管理电路、LED驱动、传感器接口及消费类电子产品的信号控制部分。由于其紧凑的封装形式和高性能参数,它常被用作中小功率开关或放大用途的理想选择,在自动装配工艺中也展现出良好的可焊性和一致性。

目录

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):60V
  集电极-基极电压(VCB0):60V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):1A
  功率耗散(PD):350mW
  直流电流增益(hFE):300 - 800
  过渡频率(fT):200MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23 (SC-59)

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FMMT5179TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 晶体管 (BJT)
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • 频率 - 转换2GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率)4.5dB @ 200MHz
  • 增益15dB
  • 功率 - 最大330mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)25 @ 3mA,1V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FMMT5179TR