IXFN38N100Q2 时间：2025/8/6 13:12:18 阅读：11

IXFN38N100Q2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用TO-247封装形式，具备优异的热性能和电流处理能力，适用于工业电源、电机控制、开关电源（SMPS）以及逆变器等系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大漏极电流（ID）：38A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.135Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：5V（典型值）
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN38N100Q2具有多项高性能特性，适合于高要求的电力电子应用。
　　首先，该器件的漏源电压高达1000V，使其适用于高压系统，例如高电压直流（HVDC）变换器和工业电机控制。其高电压能力也使其在光伏逆变器和不间断电源（UPS）中具有广泛应用。
　　其次，该MOSFET的最大漏极电流为38A，结合其较低的导通电阻（RDS(on)）0.135Ω，能够在导通状态下提供较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，低导通电阻也意味着更低的发热，提高了器件的可靠性和寿命。
　　该器件采用了先进的平面MOSFET技术，具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。高速开关能力有助于减小外部滤波器和磁性元件的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
　　另外，IXFN38N100Q2支持±20V的栅极电压范围，提高了其在不同驱动电路中的兼容性，并有助于提高导通性能。其栅极阈值电压典型值为5V，适用于常见的驱动IC，便于系统集成。
　　最后，该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够有效管理高功率应用中的热量积累，确保器件在高负载条件下的稳定运行。

应用

IXFN38N100Q2适用于多种高功率电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件的高电压和大电流特性使其成为光伏逆变器、不间断电源（UPS）和电能质量调节系统中的理想选择。此外，该MOSFET也可用于焊接设备、感应加热和高电压测试设备等高功率应用领域。