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LSQY69CACT5G 发布时间 时间:2025/8/13 15:50:41 查看 阅读:12

LSQY69CACT5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等需要高效率和高性能功率开关的场景。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压 (VDS):60V
  最大栅源电压 (VGS):±20V
  最大连续漏极电流 (ID):12A(在 Tc=25°C)
  导通电阻 (RDS(on)):最大 7.5mΩ(当 VGS = 10V)
  功率耗散 (PD):48W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DPAK(表面贴装)

特性

LSQY69CACT5G 具有多个显著的技术优势和性能特点。首先,它采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够实现极低的导通电阻 RDS(on),从而减少导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。这在高电流应用中尤为重要,例如电源转换器、电池充电系统和马达驱动电路。
  其次,该 MOSFET 支持高达 12A 的连续漏极电流,适用于中高功率应用。其最大漏源电压为 60V,使其适用于多种电源管理电路,包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器等。此外,其最大栅源电压为 ±20V,允许在较宽的驱动电压范围内稳定工作,增强了其在不同控制电路中的兼容性。
  该器件采用 DPAK 表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合自动化生产和高密度 PCB 布局。其封装设计有助于有效散热,从而在高功耗应用中保持稳定运行。同时,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适应多种恶劣环境条件下的可靠运行,适用于工业、汽车和消费类电子产品。
  此外,LSQY69CACT5G 还具备快速开关能力,降低开关损耗,并减少电磁干扰(EMI)。其优化的栅极设计有助于降低输入电容和反向传输电容,从而提高开关速度和动态响应。这在高频开关应用中尤为重要,如开关电源(SMPS)和 LED 驱动器。

应用

LSQY69CACT5G 主要应用于以下领域:
  1. **电源管理系统**:包括同步整流器、DC-DC 转换器、稳压器和负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器、工业电源和电信设备。
  2. **马达控制与驱动**:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、电动工具和工业自动化设备中的功率开关,提供高效、可靠的电机控制。
  3. **汽车电子**:适用于车载充电器、电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)以及汽车照明控制电路。
  4. **消费类电子产品**:如智能家电、智能插座、无线充电器和高功率 LED 驱动器,用于实现高效的功率控制和能量管理。
  5. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器、储能系统和微型逆变器,用于高效率的能量转换和管理。

替代型号

SI7461DP-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF, NTD12N06LT4G

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