您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FMMT417TD

FMMT417TD 发布时间 时间:2025/4/27 9:38:53 查看 阅读:6

FMMT417TD是一种小型化的NPN型硅三极管,采用SOT-23封装形式。该晶体管主要用于信号放大和开关应用,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。其设计具备低噪声特性,适用于高频和中功率的电路环境。
  作为NPN型晶体管,FMMT417TD通过基极电流的控制实现集电极电流的调节,从而达到信号放大的目的。其小尺寸和高性能使得它成为现代紧凑型电子设备的理想选择。

参数

最大集电极电流:150mA
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大集电极功耗:350mW
  直流电流增益(hFE):100~300
  过渡频率(fT):250MHz
  封装类型:SOT-23

特性

FMMT417TD具有以下显著特性:
  1. 高频性能优越,适合用于射频和高速数字电路中的信号放大与切换。
  2. 小型化SOT-23封装,节省空间,便于在高密度PCB设计中使用。
  3. 较高的直流电流增益范围(100~300),确保稳定的放大性能。
  4. 工作温度范围宽广(-55°C至+150°C),适应各种恶劣环境下的应用需求。
  5. 低噪声设计,特别适合对信号纯净度要求较高的场合。

应用

FMMT417TD主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的音频信号放大器。
  2. 工业自动化设备中的开关电路。
  3. 射频通信设备中的高频信号放大。
  4. 计算机外设及网络设备中的信号缓冲和电平转换。
  5. 各种手持设备如手机、平板电脑等的电源管理模块。

替代型号

MMBT417T1, FMMT418TD

FMMT417TD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FMMT417TD参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN 雪崩模式
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)25 @ 10mA,10V
  • 功率 - 最大330mW
  • 频率 - 转换40MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FMMT417TDTR