类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-123FL
　　齐纳电压：3.0V（标称值）
　　齐纳电流：5mA
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（VR）：最大 100nA（在 1V 时）
　　齐纳阻抗（Zzt）：最大 90Ω（在 5mA 时）

MM1Z3B0-BL 具备良好的电压稳定特性，在额定齐纳电流下提供稳定的3.0V电压输出，适用于需要精确参考电压的电路设计。其SOD-123FL封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该器件具有较低的反向漏电流，确保在低电压应用中不会造成显著的功耗问题。此外，其最大耗散功率为200mW，可在一定范围的电流条件下保持稳定工作而不会过热。齐纳阻抗较低，有助于在负载变化时维持电压的稳定性，从而提高电路的可靠性。MM1Z3B0-BL 的工作温度范围广泛，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　该齐纳二极管在电路中通常用于提供电压参考、过压保护、稳压电源中的反馈控制，以及在信号处理电路中进行电压钳位。其快速响应时间和稳定的温度特性使其在各类模拟和数字电路中广泛使用。

MM1Z3B0-BL 主要应用于以下领域：电压调节电路中的参考电压源、过压保护电路、稳压电源反馈回路、电池管理系统（BMS）、汽车电子控制系统、工业自动化设备、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电源管理单元，以及各类传感器电路中的电压基准设置。此外，它还可用于信号调理电路中，对输入信号进行电压限制，防止后级电路因过压而损坏。

MM1Z3V0B-BL, MMSZ5226B, 1N4728A