FDMA1025P 时间：2025/8/2 8:16:15 阅读：23

FDMA1025P 是一款由 Fairchild Semiconductor（安森美半导体）生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等场景。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性以及良好的热稳定性，适合在需要高效能和小尺寸封装的应用中使用。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：-20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id（@Vgs= -4.5V）：-4.1A
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs= -4.5V）：≤ 75mΩ
　　导通电阻 Rds(on)（@Vgs= -2.5V）：≤ 95mΩ
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

FDMA1025P 具有出色的导通性能和低导通电阻，这使得其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 -2.5V 到 -4.5V 的工作电压，适用于多种控制电路设计。
　　此外，FDMA1025P 的封装形式为 SOT-223，这种小型表面贴装封装形式非常适合在空间受限的设计中使用，并且具备良好的散热性能。
　　该 MOSFET 在制造上采用了先进的沟槽技术，进一步降低了导通电阻，同时提高了器件的热稳定性和可靠性。
　　在过载或短路情况下，FDMA1025P 能够承受一定的热应力，确保在恶劣工作环境下的稳定运行。
　　由于其良好的电气特性和封装优势，FDMA1025P 是用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制等应用的理想选择。

应用

FDMA1025P 常用于各种便携式电子产品、电源管理系统、DC-DC 转换器、电池供电设备、负载开关电路以及电机驱动控制系统。
　　在电源管理应用中，FDMA1025P 可作为高效的高边开关，用于控制电源的通断，实现节能和系统稳定性。
　　在电池管理系统中，它可用于电池充放电控制和保护电路，防止过流和短路造成的损坏。
　　在负载开关应用中，FDMA1025P 可以快速响应控制信号，实现对负载的精确控制，适用于智能电源分配系统。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路中，作为 H 桥的一部分，控制电机的正反转和停止状态。
　　由于其小型封装和高可靠性，FDMA1025P 特别适用于对空间和重量有严格要求的便携式设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和无人机等。