时间：2025/9/14 15:10:36
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BUK7M21-40EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频和高功率应用设计，适用于各种开关电源、电机控制、照明系统和汽车电子等领域。BUK7M21-40EX采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：400V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：21A（在25°C）
功耗(Pd)：80W
导通电阻(Rds(on))：最大值0.18Ω（在Vgs=10V）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
BUK7M21-40EX具有多个关键特性，使其成为高性能功率转换应用的理想选择。首先，该器件采用了先进的TrenchMOS技术，实现了非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其最大Rds(on)为0.18Ω，在Vgs=10V的条件下，能够有效减少功率损耗并提高能效。
其次，该MOSFET具有高达400V的漏源击穿电压（Vds），能够承受较高的电压应力，适用于多种高压应用，如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器和电机控制电路等。此外，其栅源电压（Vgs）范围为±20V，具有良好的栅极稳定性，能够适应不同的驱动条件。
该器件的连续漏极电流为21A（在25°C环境温度下），具备较强的电流承载能力。同时，其最大功耗为80W，结合TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合在中高功率环境下使用。TO-220封装也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。
此外，BUK7M21-40EX的工作温度范围为-55°C至150°C，具备优异的温度适应性，可在恶劣环境条件下稳定运行。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和过电流冲击，提高系统的可靠性和稳定性。
BUK7M21-40EX广泛应用于多种高功率和高频电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动电路、电机控制和逆变器系统等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换和可靠的开关性能。
在电源管理领域，BUK7M21-40EX可用于构建高效能的电源模块，适用于消费类电子产品、工业自动化设备以及通信基础设施。在LED照明系统中，该器件可用于高亮度LED驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
此外，该MOSFET也适用于电机控制和变频器系统，例如在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，用于控制电机的启停、调速和方向切换。其高耐压和高电流能力使其能够在这些高负载应用中稳定运行。
在汽车电子系统中，BUK7M21-40EX可用于车身控制模块、车载充电系统和LED车灯驱动电路。其宽工作温度范围和良好的热性能使其能够在严苛的车载环境中可靠工作。
STP20N40, FQA20N40, IRF740, IPB021N04N
