容量：1Mbit (128K x 8)
　　组织结构：128K地址 x 8数据位
　　电源电压：5V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：32引脚 TSOP、32引脚 SOJ、32引脚 PDIP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 70°C）
　　封装尺寸：根据封装类型不同而异
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大功耗：典型值150mA（工作模式），待机模式下低于10mA

高速访问能力：W27E01-90 提供了90ns的访问时间，适用于高速数据读写场景，能够满足大多数嵌入式系统和实时控制系统对存储器速度的需求。
　　低功耗设计：在待机模式下，该芯片的电流消耗非常低，使其适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用。
　　多种封装选项：提供TSOP、SOJ和PDIP等多种封装形式，便于在不同电路板设计中灵活使用。
　　宽温度范围：可选工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于恶劣环境条件下的稳定运行。
　　兼容性好：TTL电平兼容，可与多种控制器和处理器直接连接，简化了系统设计。
　　非易失性数据保持：作为静态RAM，W27E01-90 在断电时不会自动保存数据，因此需要外部电源或电池支持来维持数据完整性。

W27E01-90 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的应用场合。例如，它可以作为微控制器系统的外部数据存储器，用于图形显示缓存、网络通信缓冲、工业控制数据暂存等场景。此外，该芯片也常用于老式通信设备、手持终端、打印机缓冲器和嵌入式测量仪器中。由于其低功耗特性，W27E01-90 还适用于需要长时间运行且功耗受限的便携式设备，如POS终端、数据采集器和智能电表等。

CY62148EVLL-70BZE, IS62LV256AL-70TLI, IDT71V016SA-10P, HY62V256A-70LL