时间：2025/4/28 10:48:35
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SGP10N60RUFDTU是一款高压超结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），采用先进的超结技术设计，适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的应用。这款器件以其低导通电阻和快速开关速度而闻名，能够显著提高系统的效率并降低能耗。
该型号中的关键特征包括其耐压能力达到600V，使其适合高电压环境下的工作需求；同时具备极低的导通电阻（通常在几百毫欧级别），有助于减少导通损耗。此外，SGP10N60RUFDTU优化了栅极电荷参数，从而进一步提升了开关性能。
类型：MOSFET
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：45mΩ（典型值）
总栅极电荷：75nC
输入电容：2100pF
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 超结结构设计实现低导通电阻和高击穿电压的平衡。
2. 极低的导通电阻确保更小的传导损耗。
3. 快速开关特性支持高频应用。
4. 优化的栅极驱动设计简化了电路设计复杂度。
5. 高可靠性设计适用于工业级和汽车级应用。
6. 提供出色的热性能，能够有效散热以适应严苛的工作条件。
7. 具备ESD保护功能，增强器件鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管。
2. 电机驱动系统中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
4. LED驱动电源中的高效功率管理元件。
5. 工业控制设备中的功率调节组件。
6. 电动车充电站以及相关电力电子设备中的核心功率元件。
STP10NM60, IRFP460, FQA14P120
