FMM5051VF是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高精度、低功耗霍尔效应电流传感器集成电路(IC),专为交流和直流电流检测应用设计。该器件采用先进的CMOS工艺制造,并结合了霍尔传感技术,能够在无需接触电流路径的情况下实现高效、安全的电流测量。FMM5051VF封装在紧凑的SIP(单列直插式)封装中,内置磁通集中器,允许其直接集成到PCB上并环绕载流导体,从而实现对电流的非侵入式检测。该传感器具有出色的线性度、低温漂和高抗外部磁场干扰能力,适用于工业自动化、电源管理、电机控制以及可再生能源系统等对可靠性和精度要求较高的场合。其工作原理基于霍尔电压与通过导体的电流所产生的磁场成正比的关系,芯片内部集成了信号调理电路、温度补偿模块和高精度放大器,确保输出信号稳定且精确。此外,FMM5051VF具备宽范围的工作电压和温度适应能力,增强了其在复杂环境下的适用性。
类型:霍尔效应电流传感器
感应方式:闭环(带磁通集中器)
工作电压:3.0V 至 5.5V
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:典型值 62.5 mV/A
零点输出电压:VCC/2(静态无电流时)
响应时间:典型值 3 μs
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
最大可测电流(峰值):±50A
非线性度:±0.5% FS(满量程)
电源电流:典型值 12 mA
带宽:120 kHz
隔离电压:>3000 VRMS(通过封装和PCB设计实现)
FMM5051VF的核心优势在于其高精度与高稳定性的电流检测能力,这得益于其内部集成的动态偏移消除技术和温度补偿算法。该器件采用闭环霍尔传感架构,能够有效抑制机械应力和热漂移带来的误差,从而显著提升长期运行的可靠性。
其灵敏度高达62.5 mV/A,在输入电流为±50A时仍能保持良好的线性响应,非线性度控制在±0.5%以内,确保测量结果的高度可信。闭环结构还赋予其快速的动态响应能力,响应时间仅为3微秒,适合用于高频开关电源或逆变器中的实时电流反馈控制。
该传感器具备优异的抗外部磁场干扰性能,得益于其内置的差分霍尔传感元件和优化的磁路设计,能够有效抑制共模磁场影响,避免误触发或读数偏差。同时,其输出以VCC/2为中心电平,支持双向电流检测(正负电流),便于与单电源供电的ADC直接接口,简化系统设计。
FMM5051VF采用SIP封装并集成磁通集中器,无需外加磁芯即可实现高效率磁场采集,大幅降低系统体积和装配成本。其隔离电压超过3000 VRMS,满足基本绝缘和功能隔离的安全标准,适用于需要电气隔离的高压应用场景,如太阳能逆变器、电动汽车充电系统和工业电机驱动器。
此外,该器件具备宽工作电压范围(3.0V~5.5V)和宽温度范围(-40°C~+125°C),可在恶劣环境下稳定运行。低功耗设计使其在待机或轻载状态下也能保持高效能表现,适用于注重能效的绿色能源系统。整体而言,FMM5051VF是一款集高性能、高集成度与高可靠性于一体的先进电流传感解决方案。
FMM5051VF广泛应用于需要高精度、电气隔离和快速响应的电流检测场景。常见用途包括工业电机驱动中的相电流检测,用于实现矢量控制和过流保护;在光伏逆变器和储能系统中,用于直流侧和交流侧的电流监控,保障系统效率与安全运行;在电动汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换器中,执行电池充放电电流的精确测量。
此外,该器件适用于各类高性能开关电源,如服务器电源、通信电源和UPS不间断电源,提供实时电流反馈以实现闭环稳流控制和短路保护。在智能配电系统和漏电保护装置中,FMM5051VF可用于剩余电流检测,提升用电安全性。
由于其非接触式测量特性,FMM5051VF也常用于替代传统分流电阻方案,避免了功率损耗和热管理难题,特别适合大电流、高电压或空间受限的应用环境。其高带宽和快速响应能力使其在数字控制环路中表现出色,配合微控制器或DSP可实现精密的电流环调节。总体来看,FMM5051VF是现代电力电子系统中实现高效、安全、智能化电流感知的关键元件之一。