FMM5021MU 时间：2025/8/4 18:29:01 阅读：23

FMM5021MU是一款由富士通（Fujitsu）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高功率密度应用。FMM5021MU采用小型化的TSON（Thin Small Outline No-lead）封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（典型值，VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：9.3nC
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSON8

特性

FMM5021MU采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有出色的导通性能和开关特性，适用于高效率电源设计。其导通电阻RDS(on)仅为38mΩ，在VGS=10V时能显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，栅极电荷Qg为9.3nC，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　该MOSFET的TSON8封装设计不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。其封装结构支持双面散热，提高了整体的热传导效率。此外，该封装具备较低的引线电感，有助于减少高频下的寄生效应，提升系统的EMI（电磁干扰）性能。
　　FMM5021MU的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极可靠性，并能兼容多种驱动电路。该器件内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要频繁开关的应用场景。此外，其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应各种工业和汽车电子环境。

应用

FMM5021MU广泛应用于各类功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块等。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合用于高效率和高频开关电源设计。在工业自动化设备、通信电源、LED照明驱动、便携式电子产品以及车载电子系统中均有广泛应用。
　　例如，在同步整流型DC-DC转换器中，FMM5021MU可用于提高转换效率，减少发热；在电池管理系统中，该器件可用于实现高精度的充放电控制；在负载开关电路中，其快速开关能力可有效控制负载的通断，提高系统响应速度；在电机驱动应用中，该MOSFET可作为功率开关器件，实现高效的电机控制。