您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210A392KBBAR31G

GA1210A392KBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:46:28 查看 阅读:8

GA1210A392KBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的沟槽式结构设计,具备低导通电阻和高电流承载能力,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  该器件具有出色的热性能和电气性能,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行,适用于工业控制、消费电子以及通信设备等多种应用场景。

参数

型号:GA1210A392KBBAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:1200 V
  额定电流:40 A
  导通电阻:60 mΩ
  栅极电荷:85 nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1210A392KBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 60 毫欧姆,可有效降低导通损耗。
  2. 高耐压能力,其额定击穿电压高达 1200V,适合高压应用环境。
  3. 快速开关速度,由于其较低的栅极电荷和输出电荷,能显著减少开关损耗。
  4. 稳定的动态性能,在高频工作条件下仍能维持良好的效率。
  5. 优异的热稳定性,通过优化芯片设计和封装工艺,提升了散热性能。
  6. 宽泛的工作温度范围,确保在极端温度条件下的可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动系统中的功率级控制。
  3. 各种 DC-DC 转换器模块。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率变换部分。
  5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  6. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器。

替代型号

GA1210A393KBBAR31G, IRFP460, FGH12N120SD

GA1210A392KBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-