时间：2025/8/22 15:28:40
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SSKM111RZR是一款由ROHM Semiconductor制造的N通道MOSFET，通常用于功率开关和放大器应用。该器件具有高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率电子设备。
类型：N通道MOSFET
最大漏极电流：11A
漏源击穿电压：20V
栅源击穿电压：±12V
导通电阻（RDS(on)）：11.1mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSMT6
SSKM111RZR MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，该器件的快速开关速度可以减少开关损耗，从而提高高频应用的性能。其TSMT6封装提供了紧凑的设计，适用于空间受限的应用。器件还具有良好的热稳定性和可靠性，确保在高负载条件下稳定运行。
这款MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其栅极驱动电压范围适中，支持常见的4.5V至12V驱动电路，便于集成到各种系统中。
SSKM111RZR常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制和负载开关等应用。此外，它也适用于便携式设备和汽车电子系统中的高效功率管理解决方案。
SiSS111BN-T1-GE3, BSS111, 2N7002, FDV301N
