FMI16N50E 时间：2025/8/9 10:58:51 阅读：36

FMI16N50E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高功率开关场合。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性。FMI16N50E的额定电压为500V，最大漏极电流可达16A，适用于多种高效率电源转换系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.27Ω（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FMI16N50E具有多项显著的技术特点。首先，其采用了高性能的硅基材料与先进的平面制造工艺，确保了MOSFET在高压工作条件下的稳定性和可靠性。
　　其次，该器件的导通电阻非常低（典型值约为0.27Ω），这大大降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于高频率开关应用。
　　此外，FMI16N50E的栅极驱动电压范围较宽（±30V），使其能够兼容多种类型的驱动电路设计。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高功率损耗条件下维持较低的温升，从而延长器件的使用寿命。
　　其封装形式为TO-220，这种封装不仅便于安装和散热，还具有良好的机械强度和电气绝缘性能。FMI16N50E在设计上优化了开关特性和导通损耗，使其在硬开关和软开关电路中均能表现出色。

应用

FMI16N50E广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动系统以及各种高功率开关电路。
　　在开关电源中，FMI16N50E常用于主功率开关，其低导通电阻和高耐压能力有助于提升电源的整体效率和可靠性。
　　在DC-DC转换器中，该器件可以作为高边或低边开关，适用于升压、降压等多种拓扑结构。
　　在逆变器和电机驱动系统中，FMI16N50E可用于构建H桥结构，实现对电机速度和方向的精确控制。
　　此外，该MOSFET还适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电焊设备等高功率应用场合。